近日，中鋼天源通過(guò)《專(zhuān)利合作條約》（PCT）途徑申請的國際專(zhuān)利《一種黑磷納米片及其制備方法與應用》正式獲得美國專(zhuān)利商標局授權。這是中鋼天源首項通過(guò)PCT途徑在美國獲得授權的發(fā)明專(zhuān)利，標志著(zhù)中鋼天源在國際化知識產(chǎn)權布局上邁出關(guān)鍵一步，彰顯了公司在新材料領(lǐng)域核心技術(shù)創(chuàng )新能力獲國際認可。

  黑磷烯，作為一種極-具應用潛力的二維半導體材料，長(cháng)期以來(lái)因其制備難度大而備受關(guān)注。中鋼天源的此項專(zhuān)利技術(shù)為低維材料規?；苽溟_(kāi)拓了新思路，提供了一種以黑磷烯為代表的一系列導電二維層狀材料剝離至單層的規?；苽浞椒?，該方法通過(guò)堿性水系電解液結合環(huán)氧樹(shù)脂輔助電化學(xué)剝離，可實(shí)現低氧化、高產(chǎn)率黑磷納米片制備，做到了先進(jìn)低維層狀材料備技術(shù)與綠色生產(chǎn)理念高-效融合。

該技術(shù)的突破是中鋼天源邁向高端先進(jìn)材料制造的又一重要標志，填補了國際相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)空白，將引領(lǐng)低維層狀材料生產(chǎn)行業(yè)向更清潔、更綠色、更高質(zhì)量方向發(fā)展。

此次PCT國際專(zhuān)利的獲得，不僅是中鋼天源國際化戰略的重要里程碑，更是公司持續加大研發(fā)投入、推動(dòng)新材料技術(shù)國際化的有力證明。未來(lái)，中鋼天源將繼續秉持創(chuàng )新精神，不斷加大研發(fā)投入，全-面推動(dòng)新材料技術(shù)跨境轉化，為全球碳中和目標實(shí)現及高科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展貢獻“天源”力量。